Samsung Electronics, un lider mondial in tehnologii avansate de semiconductori, a anuntat ca a inceput productia in masa a cipurilor logice avansate, utilizand procesul sau LPP (Low Power Plus) pe 14nm si a celei de-a doua generatie a procesului FinFET pe 14nm al companiei.
Compania a facut un obicei din anuntarea productiei in masa a noului sau cip pentru smartphone-uri de varf, cipul care de obicei debuteaza in noul smartphone de varf Galaxy S al companiei, si se pare ca compania sud-coreeana tine la traditie si in 2016.
Inainte de MWC 2016, unde probabil compania il va dezvalui pe Galaxy S7, Samsung a confirmat astazi ca a inceput productia in masa a procesorului Exynos 8 Octa pe a doua sa generatie a procesului FinFET pe 14nm.
De asemenea, a confirmat ca are de gand sa produca si procesorul Snapdragon 820 pentru Qualcomm folosind acelasi proces. Cipul Exynos 7 Octa al Samsung a fost primul cip din industrie care a fost fabricat folosind procesul FinFET pe 14nm.
Samsung a mentionat in anuntul sau ca aceasta este cea de-a doua generatie a acelui proces si ca prin imbunatatirile in structura tranzistorului si prin optimizari, cipul a castigat cu 15% mai multa performanta si o reducere similara a consumului de energie.
Samsung nu va folosi noul sau proces de fabricare doar pentru propriile procesoare, pentru ca are compania Qualcomm ca si client.
Procesorul Snapdragon 820 de varf al Qualcomm care va propulsa multe smartphone-uri de varf din acest an, posibil si unele variante ale lui Galaxy S7, va fi fabricat de Samsung folosind a doua generatie a procesului FinFET.
Acest lucru a fost o surpriza pentru multi, pentru ca desi Qualcomm a confirmat ca Snapdragon 820 va folosi un cip FitFET de 14nm, nu a spus cine il va fabrica, iar acum confirmarea vine chiar de la Samsung. Compania spune ca dispozitivele propulsate de cipul Snapdragon 820 al Qualcomm vor sosi in prima jumatate a acestui an.
Sursa: news.samsung.com